来源：环球网

【环球网科技综合报道】11�日消息，市场调查机构CounterPoint Research近日发布报告显示，全球内存市场正遭遇显著价格上涨压力。继今年价格已飙�%后，动态随机存取存储器（DRAM）价格预计将持续上涨，2025年第四季度可能再�%，2026年初进一步上�%，�年第二季度，累计涨幅或�%。

当前内存供应紧张的核心原因是旧款内存芯片短缺。为满足人工智能领域的庞大需求，三星、SK海力士等主要制造商将产能优先分配给更先进的芯片，直接导致旧款LPDDR4内存供应吃紧。这一供需变化引发市场价格倒挂：服务器和个人电脑所用的新款DDR5内存现货价约为每吉比񇢻.50美元，而广泛应用于低端消费电子产品的旧款LPDDR4价格高񙵮.10美元，甚至超过先进的HBM3e内存。

报告指出，芯片巨头英伟达的战略转型带来了更广泛的长期影响。传统服务器普遍采用具备错误纠正码（ECC）功能的DDR内存以保障数据可靠性，而英伟达为降低功耗，正转向在服务器产品中大规模采用LPDDR内存，并计划通过CPU层面处理错误纠正。研究总监MS Hwang表示，这一转变使英伟达的内存需求规模堪比大型智能手机制造商，对现有供应链构成"地震级"变革，短期内难以消化。

此次内存市场波动将广泛波及消费电子生态系统。高级分析师Ivan Lam介绍，最初冲击将集中在采用LPDDR4的低端智能手机制造商，后续影响将逐步蔓延。报告预测，中高端智能手机的物料清单（BoM）成本可能增加超�%，既可能侵蚀制造商利润空间，也可能迫使企业上调产品售价，给行业发展带来不确定性。在产能受限与价格飙升的双重压力下，消费电子行业正面临重要抉择。（纯钧）